Clear filters
  • P. Maćkowiak, R. Sarzała, M. Wasiak, W. Nakwaski, Cascade nitride VCSEL designs with tunnel junctions, Applied Physics A: Materials Science and Processing 78(3), 315-322, 2004
     10.1007/s00339-003-2195-4 
  • A. Tomczyk, R. Sarzała, W. Nakwaski, Fully Self-Consistent Threshold Model of One-Dimensional Arrays of in-Line Nitride Diode Lasers, Semicond. Sci. Technol. 19, 997-1004, 2004
  • P. Maćkowiak, R. Sarzała, M. Wasiak, W. Nakwaski, Cascade Nitride VCSEL Designs with a Tunnel Junctions, Appl. Phys. A: Mat. Sci. \& Process. 78, 315-322, 2004
  • P. Maćkowiak, R. Sarzała, M. Wasiak, W. Nakwaski, Nitride VCSEL design for continuous-wave operation of higher-order optical modes, Applied Physics A: Materials Science and Processing 77(6), 761-768, 2003
     10.1007/s00339-003-2131-7 
  • M. Wasiak, M. Bugajski, R. Sarzała, P. Maćkowiak, T. Czyszanowski, W. Nakwaski, Output power saturation in InAs/GaAs quantum dot lasers, Physica Status Solidi C - Conferences, 1351-1354, 2003
     10.1002/pssc.200303091 
  • P. Maćkowiak, R. Sarzała, M. Wasiak, W. Nakwaski, Design guidelines for fundamental-mode-operated cascade nitride VCSELs, IEEE Photon. Technol. Lett. 15(4), 495-497, 2003
     10.1109/LPT.2003.809314 
  • R. Sarzała, [], Opt. Quant. Electron. 35(7), 675-692, 2003
     10.1023/A:1023977203373 
  • R. Sarzała, P. Maćkowiak, M. Wasiak, T. Czyszanowski, W. Nakwaski, Structure optimisation of 1.3 μm (GaIn)(NAs)∕GaAs in-plane lasers, IEE P. - Optoelectron. 150(1), 56, 2003
     10.1049/ip-opt:20030040 
  • R. Sarzała, P. Maćkowiak, M. Wasiak, T. Czyszanowski, W. Nakwaski, Simulation of performance characteristics of GaInNAs vertical-cavity surface-emitting lasers, IEE P. - Optoelectron. 150(1), 83, 2003
     10.1049/ip-opt:20030041 
  • A. Tomczyk, R. Sarzała, T. Czyszanowski, M. Wasiak, W. Nakwaski, Fully Self-Consistent Three-Dimensional Model of Edge-Emitting Nitride Diode Lasers, Opto-Electron. Rev. 11, 65-75, 2003
  • W. Nakwaski, R. Sarzała, M. Wasiak, T. Czyszanowski, P. Maćkowiak, Single-Photon Devices in Quantum Cryptography, Opto-Electron. Rev. 11, 127-132, 2003
  • P. Maćkowiak, T. Czyszanowski, R. Sarzała, M. Wasiak, W. Nakwaski, Designing of Possible Structures of Nitride Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, Opto-Electron. Rev. 11, 119-126, 2003
  • R. Sarzała, P. Maćkowiak, M. Wasiak, T. Czyszanowski, W. Nakwaski, Simulation of Threshold Characteristics of GaInNAs Diode Lasers, Opto-Electron. Rev. 11, 139-142, 2003
  • P. Maćkowiak, R. Sarzała, M. Wasiak, W. Nakwaski, Radial Optical Confinement in Nitride VCSELs, J. Phys. D: Appl. Phys. 26, 2041-2045, 2003
  • P. Maćkowiak, R. Sarzała, M. Wasiak, W. Nakwaski, Design Guidelines for Fundamental-Mode-Operated Cascade Nitride VCSELs, IEEE Photon. Technol. Lett. 15, 495-497, 2003
  • R. Sarzała, P. Maćkowiak, M. Wasiak, T. Czyszanowski, W. Nakwaski, Structure Optimization of 1.3-μm (GaIn)(NAs)/GaAs in-Plane Lasers, IEEE Proc. Optoelectr. 150, 56-58, 2003
  • R. Sarzała, P. Maćkowiak, M. Wasiak, T. Czyszanowski, W. Nakwaski, Simulation of Performance Characteristics of GaInNAs Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, IEEE Proc. Optoelectr. 150, 83-85, 2003
  • M. Wasiak, M. Bugajski, R. Sarzała, P. Maćkowiak, T. Czyszanowski, W. Nakwaski, Output Power Saturation in InAs/GaAs Quantum Dot Lasers, Phys. Stat. Sol., 1351-1354, 2003
  • P. Maćkowiak, R. Sarzała, M. Wasiak, W. Nakwaski, Nitride VCSEL Design for Continuous-Wave Operation of Higher-Order Optical Modes, Appl. Phys. A: Mat. Sci. \& Process. 77, 761-768, 2003
  • W. Nakwaski, P. Maćkowiak, M. Wasiak, R. Sarzała, T. Czyszanowski, Higher‐Order Transverse Modes in Possible Nitride VCSELs, Physica Status Solidi C - Conferences, 48-51, 2002
     10.1002/pssc.200390095