Clear filters
  • M. Kuc, Ł. Piskorski, M. Dems, M. Wasiak, A. Sokół, R. Sarzała, T. Czyszanowski, Numerical Investigation of the Impact of ITO, AlInN, Plasmonic GaN and Top Gold Metalization on Semipolar Green EELs, Materials 13(6), 1444, 2020
     10.3390/ma13061444 
  • M. Kuc, A. Sokół, Ł. Piskorski, M. Dems, M. Wasiak, R. Sarzała, T. Czyszanowski, ITO layer as an optical confinement for nitride edge-emitting lasers, B. Pol. Acad. Sci-tech. 68, 147-154, 2020
     10.24425/bpasts.2020.131834 
  • R. Sarzała, Ł. Piskorski, T. Czyszanowski, M. Dems, Influence of Various Bottom DBR Designs on the Thermal Properties of Blue Semiconductor-Metal Subwavelength-Grating VCSELs, Materials 12(19), 3235, 2019
     10.3390/ma12193235 
  • R. Sarzała, P. Śpiewak, Ł. Piskorski, Influence of the number of pairs in the top DBR and carrier injection efficiency on the nitride VCSEL performance, Laser Technology 2018: Progress and Applications of Lasers, Jastarnia, Poland, 25-27 Sep 2018
     10.1117/12.2516647 
  • M. Marciniak, Ł. Piskorski, M. Gębski, M. Dems, M. Wasiak, K. Panajotov, J. A. Lott, T. Czyszanowski, The Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser as a Sensing Device, J. Lightwave Technol. 36(16), 3185-3192, 2018
     10.1109/JLT.2018.2834620 
  • M. Marciniak, M. Gębski, Ł. Piskorski, M. Dems, M. Wasiak, K. Panajotow, J. A. Lott, T. Czyszanowski, The vertical-cavity surface-emitting laser incorporating a high contrast grating mirror as a sensing device, Proc. SPIE 10552, 105520J-1 - 105520J-9, 2018
     10.1117/12.2290729 
  • A. Sokół, Ł. Piskorski, M. Wasiak, T. Czyszanowski, M. Dems, M. Kuc, R. Sarzała, Optical simulations of blue and green semipolar InGaN/GaN lasers, Proc. SPIE 10532, 1053228-1 - 1053228-10, 2018
     10.1117/12.2287842 
  • R. Sarzała, M. Wasiak, A. Sokół, Ł. Piskorski, M. Kuc, Metalized monolithic high-contrast grating as a mirror for GaN-based VCSELs, Proc. SPIE 10532, 105321B-1 - 105321B-9, 2018
     10.1117/12.2289962 
  • A. Sokół, M. Kuc, M. Wasiak, R. Sarzała, Ł. Piskorski, Concept of the CW GaN-based VECSEL, Proc. SPIE 10515, 105150X-1 - 105150X-8, 2018
     10.1117/12.2290391 
  • Ł. Piskorski, M. Marciniak, J. Walczak, Simulation and optimization of 2.6–2.8 μm GaSb-based VCSELs, Opt. Quant. Electron. 49(5), 199, 2017
     10.1007/s11082-017-1027-2 
  • A. Sokół, Ł. Piskorski, P. Śpiewak, R. Sarzała, Numerical study of VECSELs for generation of mid-infrared radiation, Vertical External Cavity Surface Emitting Lasers (VECSELs) VII, San Francisco, United States, 30-31 Jan 2017
     10.1117/12.2253103 
  • A. Sokół, Ł. Piskorski, P. Śpiewak, R. Sarzała, Numerical study of VECSELs for generation of mid-infrared radiation, Proc. SPIE 10087, 100870Q, 2017
  • R. Sarzała, R. Ledzion, Ł. Piskorski, M. Marciniak, M. Gębski, T. Czyszanowski, Monolityczne podfalowe siatki dyfrakcyjne o wysokim kontraście współczynnika załamania jako zwierciadła w półprzewodnikowych azotkowych laserach VCSEL, 44. Zjazd Fizyków Polskich, Wrocław, PL, 10-15 Sep 2017
  • Ł. Piskorski, J. Walczak, M. Marciniak, P. Beling, M. Dems, W. Nakwaski, Performance characteristics of GaSb-based TJ-VCSELs with emission wavelength above 2.6 µm, International Conference on Transparent Optical Networks 18, Mo.D5.2-1 - Mo.D5.2-4, 2016
     10.1109/ICTON.2016.7550331 
  • Ł. Piskorski, M. Marciniak, J. Walczak, Simulation and optimization of 2.6–2.8 μm GaSb-based vertical-cavity surface-emitting lasers, Proceedings of the 16th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices 16, 135-136, 2016
     10.1109/NUSOD.2016.7547068 
  • J. Walczak, P. Śpiewak, Ł. Piskorski, M. Wasiak, T. Czyszanowski, R. Sarzała, Numerical analysis of suppression of the higher order modes in nitride VCSELs using an inverted surface relief, International Conference on Transparent Optical Networks 18, We.P.8-1 - We.P.8-4, 2016
     10.1109/ICTON.2016.7550630 
  • A. Sokół, Ł. Piskorski, R. Sarzała, Generacja promieniowania z zakresu średniej podczerwieni z wykorzystaniem półprzewodnikowych laserów dyskowych, XI Sympozjum Techniki Laserowej, Jastarnia, PL, 27-30 Sep 2016
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, Modelowanie zjawisk fizycznych w laserach typu VCSEL emitujących promieniowanie o długości fali 1.3 um, Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej, ISBN:9788372838827, pp. 242, 2016
  • A. Sokół, Ł. Piskorski, R. Sarzała, Projektowanie obszarów czynnych półprzewodnikowych laserów dyskowych wykonanych na bazie antymonku galu, XII Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa, Wisła, PL, 11-14 Sep 2016
  • Ł. Piskorski, J. Walczak, P. Beling, Antymonkowe lasery typu VCSEL emitujące promieniowanie o długości fali z zakresu 2.6−2.8 μm, XV Krajowa Konferencja Elektroniki, Darłówko Wschodnie, PL, 06-10 Jun 2016
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, Material parameters of antimonides and amorphous materials for modelling the mid-infrared lasers, Opt. Appl. XLVI(2), 227-240, 2016
     10.5277/oa160207 
  • Ł. Piskorski, Modelowanie i optymalizacja antymonkowych laserów typu VCSEL, Prz. Elektrotechniczn. 1(9), 152-155, 2015
     10.15199/48.2015.09.39 
  • Ł. Piskorski, L. Frasunkiewicz, R. Sarzała, Comparative analysis of GaAs- and GaSb-based active regions emitting in the mid-infrared wavelength range, B. Pol. Acad. Sci-tech. 63(3), 597-603, 2015
     10.1515/bpasts-2015-0070 
  • A. Sokół, Ł. Piskorski, R. Sarzała, T. Czyszanowski, Numerical study of the influence of pumping beam parameters on VECSEL performance, International Conference on Transparent Optical Networks, 1-4, 2015
     10.1109/ICTON.2015.7193496 
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, J. Walczak, M. Dems, P. Beling, A. Sokół, W. Nakwaski, Transverse-mode selectivity in antimonide-based vertical-cavity surface-emitting lasers, International Conference on Transparent Optical Networks, 1-4, 2015
     10.1109/ICTON.2015.7193493 
  • M. Dems, P. Beling, M. Gębski, Ł. Piskorski, M. Kuc, M. Wasiak, M. Marciniak, P. Śpiewak, M. Więckowska, R. Sarzała, Modeling of multi-mode properties in high-power VCSELs, International Conference on Transparent Optical Networks, 1-4, 2015
     10.1109/ICTON.2015.7193495 
  • M. Dems, P. Beling, M. Gębski, Ł. Piskorski, J. Walczak, M. Kuc, L. Frasunkiewicz, M. Wasiak, R. Sarzała, T. Czyszanowski, VCSEL modeling with self-consistent models: From simple approximations to comprehensive numerical analysis, SPIE Proceedings, San Francisco, United States, 11-12 Feb 2015
     10.1117/12.2078321 
  • M. Dems, P. Beling, M. Kuc, Ł. Piskorski, Comparison of Numerical Methods Used for Modeling Physical Properties of VCSELs, VI Workshop on Physics and Technology of Semiconductor Lasers, Kraków, PL, 11-15 Oct 2015
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, Self-consistent model of 2600 nm GaInAsSb/GaSb multi-quantum-well verical-cavity surface-emitting laser, XIII Seminary Surface and Thin Film Structures, Szklarska Poręba, PL, 16-18 Sep 2015
  • M. Dems, P. Beling, M. Gębski, Ł. Piskorski, J. Walczak, M. Kuc, L. Frasunkiewicz, M. Wasiak, R. Sarzała, T. Czyszanowski, VCSEL modeling with self-consistent models: From simple approximations to comprehensive numerical analysis, Proc. SPIE 9381, 93810K-93810K-9, 2015
  • Ł. Piskorski, L. Frasunkiewicz, A. Sokół, R. Sarzała, A Possibility to achieve emission in the mid-infrared wavelength range from semiconductor laser active regions, International Conference on Transparent Optical Networks, We.P.9-12, 2014
     10.1109/ICTON.2014.6876638 
  • Ł. Piskorski, L. Frasunkiewicz, R. Sarzała, Możliwość uzyskania promieniowania z zakresu średniej podczerwieni z obszarów czynnych półprzewodnikowych laserów złączowych, XIII Krajowa Konferencja Elektroniki, Darłówko Wschodnie, PL, 09-13 Jun 2014
  • R. Sarzała, Ł. Piskorski, W. Nakwaski, Modern designs of nitride vertical-cavity surface-emitting diode lasers, 8th International Workshop on Nitride Semiconductors, Wrocław, PL, 24-29 Aug 2014
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, GaInNAs quantum-well vertical-cavity surface-emitting lasers emitting at 2.33 μm, B. Pol. Acad. Sci-tech. 61(3), 737-744, 2013
     10.2478/bpasts-2013-0079 
  • R. Sarzała, Ł. Piskorski, R. Kudrawiec, W. Nakwaski, Optimization of GaInNAs quantum-well vertical-cavity surface-emitting laser emitting at 2.33 μm, Applied Physics A: Materials Science and Processing 115(3), 961-969, 2013
     10.1007/s00339-013-7915-9 
  • M. Dems, P. Beling, M. Gębski, Ł. Piskorski, M. Kuc, M. Wasiak, R. Sarzała, Automated self-consistent approach to modeling of photonic devices, 2013 15th International Conference on Transparent Optical Networks (ICTON), Spain, 23-27 Jun 2013
     10.1109/ICTON.2013.6602733 
  • A. Sokół, Ł. Piskorski, R. Sarzała, Numerical modeling of optical properties of vertical-external-cavity surface-emitting lasers, V Workshop on Physics and Technology of Semiconductor Lasers, Kraków, PL, 17-20 Nov 2013
  • Ł. Piskorski, A. Sokół, R. Sarzała, W. Nakwaski, Computer simulation of operation of GaN/AlGaN quantum well ultraviolet diode laser, V Workshop on Physics and Technology of Semiconductor Lasers, Kraków, PL, 17-20 Nov 2013
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, Mid-infrared InP-based GaInNAs quantum-well VCSELs, International Conference on Semiconductor Mid-IR Materials and Optics, Warszawa, PL, 27 Feb-02 Mar 2013
  • Ł. Piskorski, M. Kuc, J. Walczak, R. Sarzała, Model lasera o emisji krawędziowej z obszarem czynnym GaN/AlGaN emitującego promieniowanie ultrafioletowe, XII Krajowa Konferencja Elektroniki, Darłówko Wschodnie, PL, 10-13 Jun 2013
  • M. Dems, P. Beling, M. Gębski, Ł. Piskorski, M. Kuc, M. Wasiak, R. Sarzała, Automated self-consistent approach to modeling of photonic devices, International Conference on Transparent Optical Networks, 2013
  • R. Sarzała, T. Czyszanowski, M. Wasiak, M. Dems, Ł. Piskorski, W. Nakwaski, K. Panajotov, Numerical Self-Consistent Analysis of VCSELs, Advances in Optical Technologies 2012, 1-17, 2012
     10.1155/2012/689519 
  • R. Sarzała, Ł. Piskorski, P. Szczerbiak, R. Kudrawiec, W. Nakwaski, An attempt to design long-wavelength (>2 μm) InP-based GaInNAs diode lasers, Applied Physics A: Materials Science and Processing 108(3), 521-528, 2012
     10.1007/s00339-012-6977-4 
  • Ł. Piskorski, Computer simulation of an operation of the 1.3-µm phosphide-based MQW TJ-VCSELs: excitation of various transverse LP<inf>ij</inf> modes, 2011 13th International Conference on Transparent Optical Networks, Sweden, 26-30 Jun 2011
     10.1109/ICTON.2011.5971175 
  • P. Kowalczewski, M. Kuc, Ł. Piskorski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Simulation of an operation of zinc oxide light-emitting diodes, Microw. Opt. Techn. Let. 53(9), 2086-2090, 2011
     10.1002/mop.26175 
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Investigation of temperature characteristics of modern InAsP/InGaAsP multi-quantum-well TJ-VCSELs for optical fibre communication, Opto-Electron. Rev. 19(3), 320-326, 2011
     10.2478/s11772-011-0026-2 
  • P. Kowalczewski, M. Kuc, Ł. Piskorski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Model diody elektroluminescencyjnej z ZnO, Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania 2011(nr 9), 76-78, 2011
  • R. Sarzała, Ł. Piskorski, Comparative analysis of lasing performance of oxide-confined and proton-implanted vertical-cavity surface-emitting diode lasers, Applied Physics A: Materials Science and Processing 102(2), 359-366, 2010
     10.1007/s00339-010-5992-6 
  • Ł. Piskorski, A comparative study of temperature sensitivity of 1.3-µm In(Ga)AsP/InGaAsP multiple quantum-well vertical-cavity surface-emitting diode lasers, 2010 12th International Conference on Transparent Optical Networks, Germany, 27 Jun-01 Jul 2010
     10.1109/ICTON.2010.5549298 
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Enhanced single-fundamental LP01 mode operation of 650-nm GaAs-based GaInP/AlGaInP quantum-well VCSELs, Applied Physics A: Materials Science and Processing 98(3), 651-657, 2009
     10.1007/s00339-009-5459-9 
  • D. Xu, C. Tong, S. F. Yoon, W. Fan, D. H. Zhang, M. Wasiak, Ł. Piskorski, K. Gutowski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Room-temperature continuous-wave operation of the In(Ga)As/GaAs quantum-dot VCSELs for the 1.3 µm optical-fibre communication, Semicond. Sci. Technol. 24(5), 055003, 2009
     10.1088/0268-1242/24/5/055003 
  • Ł. Piskorski, M. Wasiak, R. Sarzała, W. Nakwaski, Structure optimisation of modern GaAs-based InGaAs/GaAs quantum-dot VCSELs for optical fibre communication, Opto-Electron. Rev. 17(3), 217-224, 2009
     10.2478/s11772-008-0067-3 
  • Ł. Piskorski, M. Wasiak, R. Sarzała, W. Nakwaski, Performance Characteristics of GaAs-Based Oxide-Confined In(Ga)As/GaAs Quantum-Dot Vertical-Cavity Surface-Emitting Diode Lasers, 2008 10th Anniversary International Conference on Transparent Optical Networks, Greece, 22-26 Jun 2008
     10.1109/ICTON.2008.4598618 
  • Ł. Piskorski, M. Wasiak, R. Sarzała, W. Nakwaski, Tuning effects in optimisation of GaAs-based InGaAs/GaAs quantum-dot VCSELs, Opt. Commun. 281(11), 3163-3170, 2008
     10.1016/j.optcom.2008.02.011 
  • D. Wawer, T. J. Ochalski, K. Pierściński, M. Szymański, M. Bugajski, Ł. Piskorski, K. Gutowski, A. Kozłowska, A. Maląg, <title>Analysis of facet heating in semiconductor lasers</title>, SPIE Proceedings, Ukraine, 12-17 Sep 2005
     10.1117/12.793319 
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Computer simulation of an operation of the GaInP/AlGaInP QW VCSELs: Excitation of various transverse LPij modes, Microelectr. J. 39(3-4), 638-640, 2008
     10.1016/j.mejo.2007.07.049 
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Analysis of anticipated performance of 650-nm GaInP/AlGaInP quantum-well GaAs-based VCSELs at elevated temperatures, Opto-Electron. Rev. 16(1), 34-41, 2008
     10.2478/s11772-007-0027-3 
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Computer simulation of an operation of the GaInP/AlGaInP QW VCSELs: excitation of various transverse LPij modes, Microelectr. J. No.39(3-4), 638-640, 2008
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Analysis of anticipated performance of 650-nm GaInP/AlGaInP quantum-well GaAs-based VCSELs at elevated temperatures., Opto-Electron. Rev. 16(1), 34-41, 2008
  • Ł. Piskorski, M. Wasiak, R. Sarzała, W. Nakwaski, Tuning effects in optimisation of GaAs-based InGaAs/GaAs quantum-dot VCSELs., Opt. Commun. 281(11), 3163–3170, 2008
  • T. Czyszanowski, R. Sarzała, Ł. Piskorski, M. Dems, M. Wasiak, W. Nakwaski, K. Panajotov, Comparison of Usability of Oxide Apertures and Photonic Crystals Used to Create Radial Optical Confinements in 650-nm GaInP VCSELs, IEEE J. Quantum. Electron. 43(11), 1041-1047, 2007
     10.1109/JQE.2007.904492 
  • Ł. Piskorski, The Influence of Temperature Changes on An Operation of the GaInP/AlGaInP Vertical-Cavity Surface-Emitting Diode Laser, Microtherm 2007: VII Conference Thermal Problems in Electronics, June 2007
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Thermal Properties of the 650-nm GaInP/AlGaInP Quantum-Well GaAs-Based Vertical-Cavity Surface-Emitting Diode Lasers, Fifth International Conference on Solid State Crystals \& Eight Polish Conference on Crystal Growth – ICSSC-5 \& PCCG-8 Conference, May 2007
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Self-consistent model of 650 nm GaInP/AlGaInP quantum-well vertical-cavity surface-emitting diode lasers, Semicond. Sci. Technol. 22(6), 593-600, 2007
     10.1088/0268-1242/22/6/002 
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Advanced Computer Simulation of the 650-nm Room-Temperature Continuous-Wave Operation of the GaInP/AlGaInP QW VCSEL, The Sixth International Conference on Low Dimensional Structures and Devices, LDSD2007, April 2007
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Mode Selectivity of 650-nm GaInP/AlGaInP Quantum-Well GaAs-Based Vertical-Cavity Surface-Emitting Diode Lasers, International Workshop on PHysics \& Applications of SEmiconductor LASERs, March 2007
  • Ł. Piskorski, M. Wasiak, R. Sarzała, W. Nakwaski, Simulation and Optimization of 1.3-μm Oxide-Confined Quantum-Dot Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, polsko-singapurska konferencja, February 2007
  • T. Czyszanowski, R. Sarzała, Ł. Piskorski, M. Dems, M. Wasiak, W. Nakwaski, K. Panajotov, Comparison of Usability of Oxide Apertures and Photonic Crystals Used To Create Radial Optical Confinements in 650-nm GaInP VCSELs, IEEE J. Quantum. Electron. 43, 1041-1047, 2007
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Self-Consistent Model of the 650-nm GaInP/AlGaInP Quantum-Well Vertical-Cavity Surface-Emitting Diode Lasers, Semicond. Sci. Technol. 22 (6), 593-600, 2007
  • D. Wawer, T. J. Ochalski, K. Pierściński, M. Szymański, M. Bugajski, Ł. Piskorski, K. Gutowski, A. Kozłowska, A. Maląg, Analysis of Facet Heating in Semiconductor Lasers, Proceedings of SPIE/Ukraine, vol. 6 (1-6), 2006, pp. 6 - 76–82, September 2005