Clear filters
  • M. Kuc, Ł. Piskorski, M. Dems, M. Wasiak, A. Sokół, R. Sarzała, T. Czyszanowski, Numerical Investigation of the Impact of ITO, AlInN, Plasmonic GaN and Top Gold Metalization on Semipolar Green EELs, Materials 13(6), 1444, 2020
     10.3390/ma13061444 
  • M. Kuc, A. Sokół, Ł. Piskorski, M. Dems, M. Wasiak, R. Sarzała, T. Czyszanowski, ITO layer as an optical confinement for nitride edge-emitting lasers, B. Pol. Acad. Sci-tech. 68, 147-154, 2020
     10.24425/bpasts.2020.131834 
  • R. Sarzała, Ł. Piskorski, T. Czyszanowski, M. Dems, Influence of Various Bottom DBR Designs on the Thermal Properties of Blue Semiconductor-Metal Subwavelength-Grating VCSELs, Materials 12(19), 3235, 2019
     10.3390/ma12193235 
  • M. Marciniak, Ł. Piskorski, M. Gębski, M. Dems, M. Wasiak, K. Panajotov, J. A. Lott, T. Czyszanowski, The Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser as a Sensing Device, J. Lightwave Technol. 36(16), 3185-3192, 2018
     10.1109/JLT.2018.2834620 
  • Ł. Piskorski, M. Marciniak, J. Walczak, Simulation and optimization of 2.6–2.8 μm GaSb-based VCSELs, Opt. Quant. Electron. 49(5), 199, 2017
     10.1007/s11082-017-1027-2 
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, Material parameters of antimonides and amorphous materials for modelling the mid-infrared lasers, Opt. Appl. XLVI(2), 227-240, 2016
     10.5277/oa160207 
  • Ł. Piskorski, Modelowanie i optymalizacja antymonkowych laserów typu VCSEL, Prz. Elektrotechniczn. 1(9), 152-155, 2015
     10.15199/48.2015.09.39 
  • Ł. Piskorski, L. Frasunkiewicz, R. Sarzała, Comparative analysis of GaAs- and GaSb-based active regions emitting in the mid-infrared wavelength range, B. Pol. Acad. Sci-tech. 63(3), 597-603, 2015
     10.1515/bpasts-2015-0070 
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, GaInNAs quantum-well vertical-cavity surface-emitting lasers emitting at 2.33 μm, B. Pol. Acad. Sci-tech. 61(3), 737-744, 2013
     10.2478/bpasts-2013-0079 
  • R. Sarzała, Ł. Piskorski, R. Kudrawiec, W. Nakwaski, Optimization of GaInNAs quantum-well vertical-cavity surface-emitting laser emitting at 2.33 μm, Applied Physics A: Materials Science and Processing 115(3), 961-969, 2013
     10.1007/s00339-013-7915-9