Clear filters
  • R. Sarzała, P. Śpiewak, Ł. Piskorski, Influence of the number of pairs in the top DBR and carrier injection efficiency on the nitride VCSEL performance, Laser Technology 2018: Progress and Applications of Lasers, Jastarnia, Poland, 25-27 Sep 2018
  • M. Marciniak, M. Gębski, Ł. Piskorski, M. Dems, M. Wasiak, K. Panajotow, J. A. Lott, T. Czyszanowski, The vertical-cavity surface-emitting laser incorporating a high contrast grating mirror as a sensing device, Proc. SPIE 10552, 105520J-1 - 105520J-9, 2018
  • A. Sokół, Ł. Piskorski, M. Wasiak, T. Czyszanowski, M. Dems, M. Kuc, R. Sarzała, Optical simulations of blue and green semipolar InGaN/GaN lasers, Proc. SPIE 10532, 1053228-1 - 1053228-10, 2018
  • R. Sarzała, M. Wasiak, A. Sokół, Ł. Piskorski, M. Kuc, Metalized monolithic high-contrast grating as a mirror for GaN-based VCSELs, Proc. SPIE 10532, 105321B-1 - 105321B-9, 2018
  • A. Sokół, M. Kuc, M. Wasiak, R. Sarzała, Ł. Piskorski, Concept of the CW GaN-based VECSEL, Proc. SPIE 10515, 105150X-1 - 105150X-8, 2018
  • A. Sokół, Ł. Piskorski, P. Śpiewak, R. Sarzała, Numerical study of VECSELs for generation of mid-infrared radiation, Vertical External Cavity Surface Emitting Lasers (VECSELs) VII, San Francisco, United States, 30-31 Jan 2017
  • A. Sokół, Ł. Piskorski, P. Śpiewak, R. Sarzała, Numerical study of VECSELs for generation of mid-infrared radiation, Proc. SPIE 10087, 100870Q, 2017
  • R. Sarzała, R. Ledzion, Ł. Piskorski, M. Marciniak, M. Gębski, T. Czyszanowski, Monolityczne podfalowe siatki dyfrakcyjne o wysokim kontraście współczynnika załamania jako zwierciadła w półprzewodnikowych azotkowych laserach VCSEL, 44. Zjazd Fizyków Polskich, Wrocław, PL, 10-15 Sep 2017
  • Ł. Piskorski, J. Walczak, M. Marciniak, P. Beling, M. Dems, W. Nakwaski, Performance characteristics of GaSb-based TJ-VCSELs with emission wavelength above 2.6 µm, International Conference on Transparent Optical Networks 18, Mo.D5.2-1 - Mo.D5.2-4, 2016
  • Ł. Piskorski, M. Marciniak, J. Walczak, Simulation and optimization of 2.6–2.8 μm GaSb-based vertical-cavity surface-emitting lasers, Proceedings of the 16th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices 16, 135-136, 2016