Osiągnięcia

  1. Szczegółowe opracowanie modelu numerycznego analizy optycznej struktur osiowosymetrycznych.
  2. Zbadanie zagrzebanej struktury ARROW na zachowanie modów laserze typu VCSEL.
  3. Odkrycie interesującej niemonotonicznej zależności strat optycznych i prądu progowego od średnicy zagrzebanej wyspy tlenkowej.
  4. Określenie wpływu rozmiaru oraz położenia zagrzebanej wyspy tlenkowej na właściwości lasera.
  5. Zaproponowanie optymalnych parametrów zagrzebanej wyspy tlenkowej pozwalających na osiągnięcie pracy jednomodowej.

Uzyskane wyniki

W ramach realizacji projektu zbadano wpływ elementu antyrezonansowego o niskim współczynniku załamania, zagrzebanego wewnątrz struktury lasera typu VCSEL na jego właściwości optyczne, ze szczególnym uwzględnieniem dyskryminacji modowej. Aby to było możliwe w pierwszej kolejności zbadano dokładność metod numerycznych pozwalających na analizę struktury takiego lasera. Podstawowymi przebadanymi metodami były metoda efektywnej częstotliwości, metoda admitancyjna fal płaskich oraz nowa metoda admitancyjna oparta na rozwinięciu Bessela we współrzędnych cylindrycznych.

W testowej strukturze badane metody wykazały zadowalającą zgodność, w szczególności dla większych apertur. Metoda efektywnej częstotliwości — jedna, oparta na przybliżeniu skalarnym — cechowała się pewnym systematycznym przesunięciem w stosunku do metod wektorowych. Jednakże przesunięcie to byłe łatwe do skompensowania, co miało istotne znaczenie w dalszych pracach (gdyż pozwoliło zastąpić metody wektorowe znacznie szybszą metodą skalarną). Ostatecznie do dalszych prac wybrano metodą opartą na rozwinięciu Bessela (z uwagi na to, że została uznana za najdokładniejszą) oraz metodę skalarną (z uwagi na jej szybkość).

Metoda oparta na rozwinięciu Bessela została zaimplementowana specjalnie na potrzeby tego projektu. Szczegóły zostały przedstawione w pracy. Jest ona w założeniu podobna do metody admiracyjnej fal płaskich — w kierunku pionowym równania Maxwella rozwiązywane są analitycznie zaś w kierunku poziomym poprzez numeryczne rozwinięcie pola elektromagnetycznego w bazie ortogonalnej. W odróżnieniu od metody fal płaskich, w nowej metodzie to rozwinięcie dokonane jest we współrzędnych biegunowych w bazie funkcji Bessela.

W ramach prac merytorycznych w projekcie przystąpiliśmy do badań struktury lasera typu VCSEL emitującego światło o długości fali 850 nm wykonanego w technologii arsenku galu. W pierwszej kolejności przeprowadzona została analiza właściwości optycznych lasera, w którym struktura anty-rezonansowa umieszczona była we wnęce rezonansowej lasera, zaś górne zwierciadło DBR miało postać napylonych warstw dielektrycznych — struktura taka została wybrana z uwagi na łatwość jej wykonania, które nie wymagało przeprowadzenia dwukrotnej epitaksji. Zarówno w tej pracy jak i we wszystkich następnych zdecydowaliśmy, że wyspa ta będzie miała kształt cylindra umieszczonego w warstwie AlGaAs. Decyzja ta została podjęta ze względu na proces technologiczny wykonania takiej struktury — do jej wykonania wystarczy wykonanie pojedynczego otworu.


Podstawowym wynikiem jest niemonotoniczna zależność czasu życia fotonów (bezpośrednio powiązanego z dobrocią wnęki) dla modów poprzecznych różnych rzędów. W trakcie badań został zaobserwowany oscylacyjny charakter tej wielkości przy wzroście rozmiarów anty-rezonansowej wyspy tlenkowej.

Według naszej wiedzy — z uwagi na fakt, że takie struktury nie były wcześniej badane — nikt wcześniej nie zaobserwował tego zjawiska. W związku z tym istotne stało się wyjaśnienie jego przyczyn. W tym celu przeanalizowany został rozkład modu elektromagnetycznego w strukturze dla wszystkich modów, a w szczególności HE 11 (podstawowego) i HE 12 (o jakościowo różnym zachowaniu). Okazało się, że w miarę wzrostu średnicy wyspy tlenkowej, w modzie podstawowym pojawiało się lokalne minimum o rozmiarze wyspy, a całe natężenie pola koncentrowało się poza nią. Z kolei w modzie wyższego rzędu wyspa także wypychała pole poza swój obszar, ale do czasu — przy odpowiednio dużym jej rozmiarze pole zaczynało się koncentrować wewnątrz wyspy: początkowo częściowo, później w całości. W efekcie dla wyspy o średnicy 8 µm mod podstawowy kształtem przypominał mod wyższego rzędu, zaś mod HE 12 miał profil najbardziej zbliżony do rozkładu Gaussa.

Wyniki te są bardzo interesujące z naukowego punktu widzenia, jako że doskonale ilustrują mechanizm oddziaływania struktury antyrezonansowej na mody wewnątrz lasera i wynikające z niego — nieobserwowane wcześniej — oscylacje. Oscylacje te powodują, że dla pewnych rozmiarów wyspy tlenkowej wzrasta różnica pomiędzy czasem życia najmniej stratnego modu, a modu następnego, co może zostać wykorzystane do zaprojektowania struktury ze zwiększoną dyskryminacją modową.

Jednakże opracowanie lasera typu VCSEL pracującego na pojedynczym modzie poprzecznym wymaga przeprowadzenia analizy nie tylko jego właściwości optycznych, ale także elektrycznych i cieplnych. Analiza taka została przeprowadzona dla nieco zmodyfikowanej struktury w stosunku do poprzedniej — górne zwierciadło DBR zostało zmienione na półprzewodnikowe, zaś sama wyspa tlenkowa została do niego przeniesiona. Wynikało to z faktu, że struktura ze zwierciadłami dielektrycznymi i warstwą tlenkową wewnątrz wnęki rezonansowej powodowała zbyt silny efekt current crowding. Widać to zresztą na poniższym rysunku, dla wyspy umieszczonej w pierwszej parze górnego zwierciadła DBR (która właściwościami jest bardo zbliżona do struktury z wyspą we wnęce). Jednakże odsunięcie wyspy do dwunastej pary zapewnia już wystarczająco jednorodny rozkład wzmocnienia.

Rozkład gęstości prądu

wyspa 5 µm w 1-szej parze DBR

wyspa 10 µm w 1-szej parze DBR

wyspa 10 µm w 12-tej parze DBR
 
   Rozkład wzmocnienia

wyspa 5 µm w 1-szej parze DBR

wyspa 10 µm w 1-szej parze DBR

wyspa 10 µm w 12-tej parze DBR

Wyniki te pozwoliły na wyznaczenie prądów progowych oraz na zbadanie różnych konfiguracji położenia i wielkości wyspy zapewniających dobrą dyskryminację modową. Dla wyspy położonej pomiędzy 9 a 15 parą DBR prądy progowe (dla różnych rozmiarów wysp) przedstawione są poniżej. Podlegają one podobnym oscylacjom jak czasy życia fotonów zaobserwowane wcześniej. W ramach prac zbadano czy źródłem tych oscylacji jest zmienne przekrycie różnych modów z profilem wzmocnienia, czy też zmiana strat modowych — ten drugi efekt okazał się dominujący.


Prowadząc optymalizację badanej struktury, stwierdziliśmy, że największa użyteczna dyskryminacja prądu progowego występuje dla struktury antyrezonansowej położonej w 10 parze górnego zwierciadła DBR (prawy wykres na powyższym rysunku). Wyspa położna dalej pozwala wyłącznie na uzyskanie mniejszych dyskryminacji, zaś położona bliżej powoduje, zbytni wzrost prądu progowego także dla modu o najniższych stratach.

prądy progowe dla wyspy w 10-tej parze DBR

prądy progowe dla wyspy w 12-tej parze DBR

dyskryminacja progowa dla wyspy w 10-tej parze DBR (kolor: mod dominujący)

Wpływ na dyscyplinę

W ramach realizacji projektu przeanalizowaliśmy wpływ struktury antyrezonansowej zagrzebanej wewnątrz bądź to wnęki rezonansowej, bądź wewnątrz górnego zwierciadła DBR laserów typu VCSEL. Według naszej wiedzy nikt wcześniej nie badał takich konstrukcji. W związku z tym pozyskana wiedza jest istotną wartością dodaną do zrozumienia fizyki nietypowych przyrządów fotonicznych. W szczególności za osiągnięcie o największym wpływie na tę dyscyplinę uważamy zaobserwowanie oscylacyjnej zależności modów różnych rzędów od wielkości antyrezonansowej wyspy tlenkowej, od jej położenia, a także od innych parametrów projektowych lasera (np. przedstawiliśmy jak intensywność i charakter tych oscylacji zależy od wielości odstrojenia długości wnęki rezonansowej). Istotny wpływ ma także fakt, że — poprzez analizę wpływu wyspy na rozkład pola elektromagnetycznego modów poprzecznych — byliśmy w stanie wyjaśnić mechanizm stojący za tymi oscylacjami. Przyczyniło się to do lepszego zrozumienia mechanizmów zjawisk zachodzących w badanych strukturach, co stanowi znaczące poszerzenie aktualnego stanu wiedzy w tym zakresie.

Poza podstawowym pogłębieniem wiedzy dotyczącej wpływu struktury antyrezonansowej na właściwości laserów typu VCSEL, zaproponowaliśmy optymalne parametry tej struktury, które zapewniły bardzo dobrą dyskryminację prądów progowych, a co za tym idzie, umożliwiły jednomodową pracę lasera. Istotny jest tutaj fakt, że uzyskano to przy dość dużej aperturze optyczno-elektrycznej (10 µm), dzięki czemu wyeliminowano największą wadę obecnych konstrukcji laserów jednomodowych — małą aperturę skutkującą istotnym ograniczeniem możliwej do uzyskania emitowanej mocy.

W ramach naszych prac zwracaliśmy szczególną uwagę na to, by zaproponowane przez nas rozwiązania były możliwe do wykonania w ramach istniejących technologii. Oksydacja powierzchniowa nie jest jednakże technologią dostępną powszechnie (w przeciwieństwie do oksydacji bocznej), dlatego w przyszłości istotne jest rozpatrzenie możliwości zastosowania innych technik w celu wykonania zaproponowanych przez nas zagrzebanych struktur antyrezonansowych. Rozwinięcie takich technik, bądź upowszechnienie oksydacji powierzchniowej, z całą pewnością spowoduje, że rezultaty niniejszego projektu będą nie tylko traktowane jako poszerzenie zrozumienia fizycznego nietypowych struktur fotonicznych, ale przyczynią się również do powstania praktycznych, komercyjnie dostępnych, urządzeń.