• B. P. Riely, J. J. Liu, H. Shen, G. Dang, W. H. Chang, Y. Jiang, Z. Sikorski, T. Czyszanowski, A. J. Przekwas, Multiphysics modeling of intracavity-contacted VCSELs, SPIE Proceedings, United States, 27-31 Sty 2003
  • R. Sarzała, Perspektywy Nowych Materiałów i Konstrukcji Półprzewodnikowych Laserów Złączowych Stosowanych w śwtatłowodowych Systemach Telekomunikacji Optycznej II i III Generacji, Konferencja Optoelektronika 2003: Oferta Nauki Polskiej Dla Przemysłu, str. 7-9, Czerwiec 2003
  • W. Nakwaski, R. Sarzała, P. Maćkowiak, M. Wasiak, Wykorzystanie Niestandardowych Własności Azotków Grupy AIIIN Do Optymalizacji Strucktur Azotkowych Laserów Typu VCSEL, II Krajowa Konferencja Elektroniki, str. 2 - 437-442., Czerwiec 2003
  • W. Nakwaski, Dokładna Samouzgodniona Symulacja Działania Laserów Złączowych w Zastosowaniu Do Projektowania i Optymalizacji Ich Struktur, Konferencja Optoelektronika 2003: Oferta Nauki Polskiej Dla Przemysłu, str. 4-6, Czerwiec 2003
  • M. Dems, W. Nakwaski, Thermal, Molecular Stress Generation in Multi-Layered Structures of Nitride Devices, 5th International Conference "Thermal Problems in Electronics", MicroTherm2003, str. 51-53, Czerwiec 2003
  • R. Sarzała, P. Mendla, M. Wasiak, P. Maćkowiak, W. Nakwaski, M. Bugajski, Three-Dimensional Comprehensive Self-Consistent Simulation of a Room-Temperature Continuous-Wave Operation of GaAs-Based 1.3-μm Quantum-Dot (InGa)As/GaAs Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, 5th International Conference on Transparent Optical Networks: ICTON 2003, str. 2 - 95-98, Czerwiec 2003
  • A. Tomczyk, R. Sarzała, W. Nakwaski, Thermal Model of Nitride Edge-Emitting Diode Lasers, 5th International Conference "Thermal Problems in Electronics", MicroTherm2003, str. 183-186, Czerwiec 2003
  • M. Dems, W. Nakwaski, The Self-Consistent Method for Determination of a Band Structure in Photonic Crystals with Frequency-Dependent Dielectric Constants, 5th International Conference on Transparent Optical Networks: ICTON 2003, str. 1 - 276-279, Czerwiec 2003
  • W. Nakwaski, R. Sarzała, P. Maćkowiak, Analysis of the Feedback Between Electrical, Thermal Phenomena in Nitride Devices Using a Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser As An Example, 5th International Conference "Thermal Problems in Electronics", MicroTherm2003, Czerwiec 2003
  • W. Nakwaski, R. Sarzała, P. Maćkowiak, Mutual Interactions Between Electrical, Thermal Phenomena in Nitride VCSELs Influencing Current Spreading Within Their Volumes, International Conference "Laser Physics, Laser Applications", Maj 2003
  • P. Maćkowiak, R. Sarzała, M. Wasiak, W. Nakwaski, Design guidelines for fundamental-mode-operated cascade nitride VCSELs, IEEE Photon. Technol. Lett. 15(4), 495-497, 2003
  • W. Nakwaski, R. Sarzała, Designing of 1.3-μm Arsenide VCSELs, International Workshop on GaAs Based Lasers for the 1.3-1.5$\mu$m Wavelength Range, Kwiecień 2003
  • W. Nakwaski, P. MAC´KOWIAK, [], Opt. Quant. Electron. 35(11), 1037-1054, 2003
  • R. Sarzała, [], Opt. Quant. Electron. 35(7), 675-692, 2003
  • R. Sarzała, P. Maćkowiak, M. Wasiak, T. Czyszanowski, W. Nakwaski, Structure optimisation of 1.3 μm (GaIn)(NAs)∕GaAs in-plane lasers, IEE P. - Optoelectron. 150(1), 56, 2003
  • R. Sarzała, P. Maćkowiak, M. Wasiak, T. Czyszanowski, W. Nakwaski, Simulation of performance characteristics of GaInNAs vertical-cavity surface-emitting lasers, IEE P. - Optoelectron. 150(1), 83, 2003
  • A. Tomczyk, R. Sarzała, T. Czyszanowski, M. Wasiak, W. Nakwaski, Fully Self-Consistent Three-Dimensional Model of Edge-Emitting Nitride Diode Lasers, Opto-Electron. Rev. 11, 65-75, 2003
  • W. Nakwaski, R. Sarzała, M. Wasiak, T. Czyszanowski, P. Maćkowiak, Single-Photon Devices in Quantum Cryptography, Opto-Electron. Rev. 11, 127-132, 2003
  • P. Maćkowiak, T. Czyszanowski, R. Sarzała, M. Wasiak, W. Nakwaski, Designing of Possible Structures of Nitride Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, Opto-Electron. Rev. 11, 119-126, 2003
  • R. Sarzała, P. Maćkowiak, M. Wasiak, T. Czyszanowski, W. Nakwaski, Simulation of Threshold Characteristics of GaInNAs Diode Lasers, Opto-Electron. Rev. 11, 139-142, 2003