• S. Morawiec, R. Sarzała, W. Nakwaski, Próba zniwelowania wpływu naprężeń mechanicznych na działanie azotkowych diod elektroluminescencyjnych, Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania 2011(nr 9), 70-72, 2011
  • A. Sokół, R. Sarzała, Thermal problems in arsenide VECSELs, Scientific Bulletin TUL. Physics 32(No. 1105), 53-63, 2011
  • A. Sirbu, A. Mereuta, A. Caliman, N. Volet, Q. Zhu, V. Iakovlev, J. Rautiainen, J. Lyytikainen, O. Okhotnikov, J. Walczak, M. Wasiak, T. Czyszanowski, E. Kapon, High-power optically-pumped VECSELs emitting in the 1310-nm and 1550-nm wavebands, Proc. SPIE 7919, 791903, 2011
  • M. Kuc, R. Sarzała, Modelowanie cieplno-elektrycznych właściwości emiterów promieniowania i ich matryc opartych na materiałach azotkowych, Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania 2011(nr 9), 66-69, 2011
  • R. Sarzała, M. Wasiak, Thermal-electrical modelling of quantum cascade lasers, Prz. Elektrotechniczn. 87(10), 177-179, 2011
  • M. Dems, Propagacja fali elektromagnetycznej w falowodzie wykonanym w planarnym krysztale fotonicznym do zastosowań w diodzie o emisji krawędziowej, Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania 9, 40-42, 2011
  • W. Nakwaski, P. Kowalczewski, R. Sarzała, Photonic crystal used to increase extraction efficiencyof ZnO light-emitting diodes, Photonics Letters of Poland 2(4), 186-188, 2010
  • Y. Ding, W. Fan, B. S. Ma, D. Xu, S. F. Yoon, S. Liang, L. J. Zhao, M. Wasiak, T. Czyszanowski, W. Nakwaski, Microphotoluminescence investigation of InAs quantum dot active region in 1.3 μm vertical cavity surface emitting laser structure, J. Appl. Phys. 108(7), 073111, 2010
  • Y. Ding, W. Fan, B. S. Ma, D. Xu, S. F. Yoon, S. Liang, L. J. Zhao, M. Wasiak, T. Czyszanowski, W. Nakwaski, Microphotoluminescence investigation of InAs quantum dot active region in 1.3 μm vertical cavity surface emitting laser structure, J. Appl. Phys. 108, 073111-073111-5, 2010
  • M. Kuc, R. Sarzała, W. Nakwaski, Physics of mode selectivity of vertical-cavity surface-emitting diode lasers, J. Appl. Phys. 108(4), 044501, 2010
  • R. Sarzała, Ł. Piskorski, Comparative analysis of lasing performance of oxide-confined and proton-implanted vertical-cavity surface-emitting diode lasers, Applied Physics A: Materials Science and Processing 102(2), 359-366, 2010
  • M. Dems, I.-S. Chung, P. Nyakas, S. Bischoff, K. Panajotov, Numerical Methods for modeling Photonic-Crystal VCSELs, Opt. Express 18(15), 16042, 2010
  • Ł. Piskorski, A comparative study of temperature sensitivity of 1.3-µm In(Ga)AsP/InGaAsP multiple quantum-well vertical-cavity surface-emitting diode lasers, 2010 12th International Conference on Transparent Optical Networks, Germany, 27 Cze-01 Lip 2010
  • R. Sarzała, W. Nakwaski, Methods to improve performance of the 1.3-μm oxide-confined GalnNAs/GaAs QW VCSELs, 2010 12th International Conference on Transparent Optical Networks, Germany, 27 Cze-01 Lip 2010
  • T. Czyszanowski, R. Sarzała, M. Dems, M. Wasiak, W. Nakwaski, K. Panajotov, Pulse-regime single-mode operation of antiwaveguide photonic-crystal 1300-nm VCSEL, Proc. SPIE 7720(Article Number: 77200A), 2010
  • T. Czyszanowski, Thermal properties and wavelength analysis of telecom oriented photonic-crystal VCSELs, IEE P. - Optoelectron. 18(1), 56-62, 2010
  • K. Panajotov, M. Dems, Photonic crystal vertical-cavity surface-emitting lasers with true photonic bandgap, Opt. Lett. 35(6), 829, 2010
  • M. Żujewski, W. Nakwaski, Sensitivity of a VCSEL threshold performance to inaccuracies in its manufacturing, Opto-Electron. Rev. 18(2), 181-189, 2010
  • T. Czyszanowski, Thermal properties and wavelength analysis of telecom oriented photonic-crystal VCSELs, Opto-Electron. Rev. 18(1), 56-62, 2010
  • M. Żujewski, W. Nakwaski, Sensitivity of a VCSEL threshold performance to inaccuracies in its manufacturing, Opto-Electron. Rev. 18(2), 181-189, 2010