• P. Śpiewak, M. Gębski, W. Strupiński, T. Czyszanowski, W. Kołkowski, I. Pasternak, R. Sarzała, W. Nakwaski, M. Wasiak, Determination of electrical and thermal parameters of vertical-cavity surface-emitting lasers, Metrol. Meas. Syst. 30(3), 519-529, 2023
  • P. Śpiewak, R. Sarzała, M. Wasiak, Impact of cavity design on the modulation properties of a GaAs-based VCSEL, Opt. Laser Technol. 163, 109373, 2023
  • M. Janczak, R. Sarzała, M. Dems, A. Kolek, M. Bugajski, W. Nakwaski, T. Czyszanowski, Threshold performance of pulse-operating quantum-cascade vertical-cavity surface-emitting lasers, Opt. Express 30(25), 45054, 2022
  • R. Sarzała, Analiza termiczna dwuwymiarowych matryc laserów VCSEL, Prz. Elektrotechniczn. 1(9), 168-171, 2022
  • D. Dąbrówka, R. Sarzała, M. Wasiak, A. Kafar, P. Perlin, K. Saba, Thermal analysis of a two-dimensional array with surface light emission based on nitride EEL lasers, Opto-Electron. Rev. 30, e144115, 2022
  • M. Gębski, P. Śpiewak, W. Kołkowski, I. Pasternak, W. Głowadzka, W. Nakwaski, R. Sarzała, M. Wasiak, T. Czyszanowski, W. Strupiński, First vertical-cavity surface-emitting laser made entirely in Poland, B. Pol. Acad. Sci-tech. 69, e137272, 2021
  • R. Sarzała, P. Śpiewak, W. Nakwaski, M. Wasiak, Cavity designs for nitride VCSELs with dielectric DBRs operating efficiently at different temperatures, Opt. Laser Technol. 132, 106482, 2020
  • M. Wasiak, P. Śpiewak, N. Haghighi, M. Gębski, E. Pruszyńska-Karbownik, P. Komar, J. A. Lott, R. Sarzała, Numerical model for small-signal modulation response in vertical-cavity surface-emitting lasers, J. Phys. D: Appl. Phys. 53(34), 345101, 2020
  • M. Więckowska, R. Sarzała, R. Ledzion, M. Dems, Impact of an Antiresonant Oxide Island on the Lasing of Lateral Modes in VCSELs, Materials 13(9), 2195, 2020
  • M. Kuc, Ł. Piskorski, M. Dems, M. Wasiak, A. Sokół, R. Sarzała, T. Czyszanowski, Numerical Investigation of the Impact of ITO, AlInN, Plasmonic GaN and Top Gold Metalization on Semipolar Green EELs, Materials 13(6), 1444, 2020
  • M. Kuc, A. Sokół, Ł. Piskorski, M. Dems, M. Wasiak, R. Sarzała, T. Czyszanowski, ITO layer as an optical confinement for nitride edge-emitting lasers, B. Pol. Acad. Sci-tech. 68, 147-154, 2020
  • P. Śpiewak, M. Wasiak, R. Sarzała, Impact of the active area position in a nitride tunnel junction vertical-cavity surface-emitting laser on its emission characteristics, Opt. Appl. 50(2), 301-310, 2020
  • R. Sarzała, P. Śpiewak, M. Wasiak, Influence of Resonator Length on Performance of Nitride TJ VCSEL, IEEE J. Quantum. Electron. 55(6), 1-9, 2019
  • A. Sokół, R. Sarzała, T. Czyszanowski, Monolithic High Contrast Grating Nitride-Based VECSEL, IEEE J. Sel. Topics in Quantum Electron. 25(6), 1-8, 2019
  • R. Sarzała, Ł. Piskorski, T. Czyszanowski, M. Dems, Influence of Various Bottom DBR Designs on the Thermal Properties of Blue Semiconductor-Metal Subwavelength-Grating VCSELs, Materials 12(19), 3235, 2019
  • R. Sarzała, Wpływ niedokładności wykonania wybranych elementów azotkowego lasera VCSEL na jego charakterystyki emisyjne, Prz. Elektrotechniczn. 1(9), 129-132, 2019
  • K. Pierściński, M. Bugajski, T. Czyszanowski, A. Kolek, M. Wesołowski, M. Kuc, R. Sarzała, M. Dems, M. Płuska, D. Pierścińska, W. Strupiński, A. Czerwiński, Coupled-cavity AlInAs/InGaAs/InP quantum cascade lasers fabricated by focused ion beam processing, JPhys Photonics 1(1), 015001, 2018
  • R. Sarzała, Projekt azotkowego lasera VCSEL z bezpośrednim wstrzykiwaniem prądu do obszaru czynnego, Prz. Elektrotechniczn. 1(8), 3-6, 2018
  • R. Sarzała, M. Marciniak, T. Czyszanowski, Thermal properties of GaN-based semiconductor-metal subwavelength grating VCSELs and novel current injection scheme, J. Phys. D: Appl. Phys. 51(28), 285102, 2018
  • R. Sarzała, Początek i rozwój półprzewodnikowych laserów VCSEL, Prz. Elektrotechniczn. 1(8), 3-10, 2017
  • P. Śpiewak, A. Sokół, M. Wasiak, R. Sarzała, Impact of AlN-aperture on optical and electrical properties of nitride VCSEL, Opt. Quant. Electron. 49(3), 114, 2017
  • P. Śpiewak, M. Wasiak, M. Kuc, S. Stańczyk, P. Perlin, W. Nakwaski, R. Sarzała, Impact of thermal crosstalk between emitters on power roll-over in nitride-based blue-violet laser bars, Semicond. Sci. Technol. 32(2), 025008, 2017
  • T. Czyszanowski, M. Gębski, M. Dems, M. Wasiak, R. Sarzała, K. Panajotov, Subwavelength grating as both emission mirror and electrical contact for VCSELs in any material system, Sci. Rep. 7(1), 40348, 2017
  • P. Śpiewak, M. Marciniak, M. Wasiak, W. Nakwaski, R. Sarzała, Analysis of Threshold Currents and Transverse Modes in Nitride VCSELs With Different Resonators, IEEE J. Quantum. Electron. 52(11), 1-7, 2016
  • M. Marciniak, M. Gębski, A. Sokół, T. Wojtatowicz, M. Dems, R. Sarzała, T. Czyszanowski, Monolityczna siatka HCG jako zwierciadło w azotkowym laserze VCSEL, Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania 2016(9), 35-38, 2016
  • M. Wasiak, P. Śpiewak, P. Moser, J. Walczak, R. Sarzała, T. Czyszanowski, J. A. Lott, Numerical model of capacitance in vertical-cavity surface-emitting lasers, J. Phys. D: Appl. Phys. 49(17), 175104, 2016
  • P. Perlin, S. Stańczyk, S. Najda, T. Suski, P. Wiśniewski, I. Makarowa, Ł. Marona, A. Kafar, A. Bojarska, R. Czernecki, R. Sarzała, M. Kuc, M. Leszczyński, Development of the Nitride Laser Diode Arrays for Video and Movie Projectors, MRS Advances 1(2), 103-108, 2016
  • E. Staryga, W. Nakwaski, R. Sarzała, History and achievements of the Institute of Physics of Lodz University of Technology, Scientific Bulletin TUL. Physics 1210(37), 5-9, 2016
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, Material parameters of antimonides and amorphous materials for modelling the mid-infrared lasers, Opt. Appl. XLVI(2), 227-240, 2016
  • R. Sarzała, A. Sokół, M. Kuc, W. Nakwaski, How to enhance a room-temperature operation of diode lasers and their arrays, Opt. Appl. 46(2), 213-226, 2016
  • A. Sokół, R. Sarzała, Numerical model of a semiconductor disk laser, Opt. Appl. 46(2), 199-211, 2016
  • J. Walczak, R. Sarzała, M. Wasiak, W. Nakwaski, A. Sirbu, T. Czyszanowski, E. Kapon, Electrically Pumped Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Lasers With Patterned Tunnel Junction for Single Transversal-Mode Emission, IEEE J. Sel. Topics in Quantum Electron. 21(6), 485-492, 2015
  • M. Kuc, R. Sarzała, T. Czyszanowski, M. Bugajski, Selekcja modowa w laserach kaskadowych ze sprzężonymi wnękami rezonansowymi, Prz. Elektrotechniczn. R. 91(9), 107-108, 2015
  • Ł. Piskorski, L. Frasunkiewicz, R. Sarzała, Comparative analysis of GaAs- and GaSb-based active regions emitting in the mid-infrared wavelength range, B. Pol. Acad. Sci-tech. 63(3), 597-603, 2015
  • M. Kuc, R. Sarzała, S. Stańczyk, P. Perlin, Numerical investigation of an impact of a top gold metallization on output power of a p-up III-N-based blue-violet edge-emitting laser diode, Opto-Electron. Rev. 23(2), 131-136, 2015
  • R. Sarzała, T. Czyszanowski, W. Nakwaski, Effect of Relief Aperture on Single-Fundamental-Mode Emission of 1.3-μ m GaInNAs GaAs-Based VCSELs, IEEE J. Quantum. Electron. 50(11), 1-8, 2014
  • P. Karbownik, A. Trajnerowicz, A. Szerling, A. Wójcik-Jedlińska, M. Wasiak, E. Pruszyńska-Karbownik, K. Kosiel, I. Gronowska, R. Sarzała, M. Bugajski, Direct Au–Au bonding technology for high performance GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers, Opt. Quant. Electron. 47(4), 893-899, 2014
  • A. Sokół, R. Sarzała, Influence of Pumping Beam Width on Vecsel Output Power, International Journal of Electronics and Telecommunications 60(3), 239-245, 2014
  • T. Czyszanowski, E. Kapon, N. Volet, J. Walczak, M. Dems, R. Sarzała, V. Iakovlev, A. Sirbu, A. Mereuta, A. Caliman, Numerical Analysis of Mode Discrimination by Intracavity Patterning in Long-Wavelength Wafer-Fused Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, IEEE J. Quantum. Electron. 50(9), 1-9, 2014
  • J. Muszalski, A. Broda, A. Trajnerowicz, A. Wójcik-Jedlińska, R. Sarzała, M. Wasiak, P. Gutowski, I. Sankowska, J. Kubacka-Traczyk, K. Gołaszewska-malec, Switchable double wavelength generating vertical external cavity surface-emitting laser, Opt. Express 22(6), 6447, 2014
  • R. Sarzała, W. Nakwaski, Inverted-relief cavity used in VCSELs to suppress higher-order transverse modes, Photonics Letters of Poland 6(1), 29-31, 2014
  • T. Czyszanowski, N. Volet, J. Walczak, M. Dems, R. Sarzała, Intra-cavity patterning - new method of single mode emission enhancement, Photonics Letters of Poland 6(1), 26-28, 2014
  • V. Iakovlev, J. Walczak, M. Gębski, A. Sokół, M. Wasiak, P. Gallo, A. Sirbu, R. Sarzała, M. Dems, T. Czyszanowski, E. Kapon, Double-diamond high-contrast-gratings vertical external cavity surface emitting laser, J. Phys. D: Appl. Phys. 47(6), 065104, 2014
  • V. Iakovlev, J. Walczak, M. Gębski, A. Sokół, M. Wasiak, P. Gallo, A. Sirbu, R. Sarzała, M. Dems, T. Czyszanowski, E. Kapon, Double-diamond high-contrast-gratings vertical external cavity surface emitting laser, J. Phys. D: Appl. Phys. 47(6), 065104, 2014
  • M. Kuc, R. Sarzała, W. Nakwaski, Thermal crosstalk in arrays of III-N-based Lasers, Materials Science & Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology 178(20), 1395-1402, 2013
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, GaInNAs quantum-well vertical-cavity surface-emitting lasers emitting at 2.33 μm, B. Pol. Acad. Sci-tech. 61(3), 737-744, 2013
  • T. Czyszanowski, M. Dems, R. Sarzała, K. Panajotov, K. Choquette, Photonic Crystal VCSELs: Detailed Comparison of Experimental and Theoretical Spectral Characteristics, IEEE J. Sel. Topics in Quantum Electron. 19(5), 1-8, 2013
  • T. Czyszanowski, R. Sarzała, M. Dems, J. Walczak, M. Wasiak, W. Nakwaski, V. Iakovlev, N. Volet, E. Kapon, Spatial-Mode Discrimination in Guided and Antiguided Arrays of Long-Wavelength VCSELs, IEEE J. Sel. Topics in Quantum Electron. 19(5), 1-10, 2013
  • R. Sarzała, Ł. Piskorski, R. Kudrawiec, W. Nakwaski, Optimization of GaInNAs quantum-well vertical-cavity surface-emitting laser emitting at 2.33 μm, Applied Physics A: Materials Science and Processing 115(3), 961-969, 2013
  • L. Frasunkiewicz, T. Czyszanowski, M. Wasiak, M. Dems, R. Sarzała, W. Nakwaski, K. Panajotov, Optimization of Single-Mode Photonic-Crystal Results in Limited Improvement of Emitted Power and Unexpected Broad Range of Tuning, J. Lightwave Technol. 31(9), 1360-1366, 2013
  • S. Morawiec, R. Sarzała, W. Nakwaski, A method used to overcome polarization effects in semi-polar structures of nitride light-emitting diodes emitting green radiation, Applied Physics A: Materials Science and Processing 113(3), 801-809, 2013
  • A. Sokół, R. Sarzała, Thermal management of GaInNAs/GaAs VECSELs, Opto-Electron. Rev. 21(2), 191-198, 2013
  • J. Walczak, M. Wasiak, R. Sarzała, A. Sirbu, T. Czyszanowski, Optymalizacja poziomu domieszkowania podłoża InP w elektrycznie pompowanych laserach o emisji powierzchniowej z zewnętrzną wnęką rezonansową (E-VECSEL), Prz. Elektrotechniczn. 89(10/2013), 2013
  • K. Gołaszewska-malec, R. Kruszka, M. Myśliwiec, W. Jung, T. Piotrowski, M. G. Juchniewicz, J. Bar, M. Wzorek, E. Kamińska, A. Piotrowska, R. Sarzała, M. Dems, J. Wojtas, R. Mędrzycki, P. Prystawko, Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi, Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania LIV(9), 46-49, 2013
  • A. Sokół, R. Sarzała, Numeryczna analiza konwersji mocy pompującej w laserze typu VECSEL, Prz. Elektrotechniczn., 86-89, 2013
  • A. Sokół, R. Sarzała, Thermal management of GaInNAs/GaAs VECSELs, Opto-Electron. Rev. 21, No. 2, 191-198, 2013
  • A. Sokół, R. Sarzała, Comparative analysis of thermal problems in GaAs- and InP-based 1.3-μm VECSELs, Opt. Appl. 43(2), 325-341, 2013
  • T. Czyszanowski, R. Sarzała, M. Dems, J. Walczak, M. Wasiak, W. Nakwaski, V. Iakovlev, N. Volet, E. Kapon, Spatial-Mode Discrimination in Guided and Antiguided Arrays of Long-Wavelength VCSELs, IEEE J. Sel. Topics in Quantum Electron. 19(5), 2013
  • S. Morawiec, R. Sarzała, W. Nakwaski, A new structure of nitride light-emitting diodes without polarization effects, Physica B: Condensed Matter 407(19), 3960-3964, 2012
  • R. Sarzała, T. Czyszanowski, M. Wasiak, M. Dems, Ł. Piskorski, W. Nakwaski, K. Panajotov, Numerical Self-Consistent Analysis of VCSELs, Advances in Optical Technologies 2012, 1-17, 2012
  • R. Sarzała, Ł. Piskorski, P. Szczerbiak, R. Kudrawiec, W. Nakwaski, An attempt to design long-wavelength (>2 μm) InP-based GaInNAs diode lasers, Applied Physics A: Materials Science and Processing 108(3), 521-528, 2012
  • A. Sokół, R. Sarzała, Analiza zagadnień cieplnych w optycznie pompowanych laserach typu VECSEL, Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania 2012(nr 10), 25-28, 2012
  • M. Kuc, R. Sarzała, Wpływ wzajemnego oddziaływania cieplnego emiterów promieniowania na pracę matrycy zbudowanej na bazie GaN, Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania 2012(nr 9), 41-44, 2012
  • T. Czyszanowski, M. Dems, R. Sarzała, W. Nakwaski, K. Panajotov, Precise Lateral Mode Control in Photonic Crystal Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, IEEE J. Quantum. Electron. 47(10), 1291-1296, 2011
  • Ł. Bielarczyk, W. Nakwaski, R. Sarzała, Self-consistent thermal model of semiconductor disk lasers, J. Optoelectron. Adv. M. 13(1-2), 59-64, 2011
  • R. Sarzała, M. Wasiak, W. Nakwaski, Temperature increase within quantum-cascade lasers originating from their incomplete soldering, Photonics Letters of Poland 3(2), 52-54, 2011
  • P. Kowalczewski, M. Kuc, Ł. Piskorski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Simulation of an operation of zinc oxide light-emitting diodes, Microw. Opt. Techn. Let. 53(9), 2086-2090, 2011
  • R. Sarzała, W. Nakwaski, Structure modifications of oxide‐confined GaInNAs VCSELs for the second‐generation optical‐fibre communication, Physica Status Solidi C - Conferences 8(5), 1601-1604, 2011
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Investigation of temperature characteristics of modern InAsP/InGaAsP multi-quantum-well TJ-VCSELs for optical fibre communication, Opto-Electron. Rev. 19(3), 320-326, 2011
  • R. Kruszka, M. Ekielski, K. Golaszewska, K. Korwin-Mikke, Z. Sidor, M. Wzorek, D. Pierścińska, R. Sarzała, T. Czyszanowski, A. Piotrowska, GaAs/AlGaAs photonic crystals for VCSEL-type semiconductor lasers, Opto-Electron. Rev. 19(1), 51-55, 2011
  • R. Sarzała, W. Nakwaski, Current spreading modification to enhance single-fundamental-mode VCSEL operation at higher temperatures, Opto-Electron. Rev. 19(2), 131-136, 2011
  • W. Nakwaski, R. Sarzała, Why is it so difficult to reach the single fundamental transverse-mode operation in detuned oxide-confined VCSELs?, Opt. Appl. 41(1), 7-14, 2011
  • R. Sarzała, P. Szczerbiak, R. Kudrawiec, Lasery z obszarami czynnymi z rozcieńczonych azotków na podłożu InP emitujące w zakresie średniej podczerwieni, Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania 2011(nr 10), 82-84, 2011
  • P. Kowalczewski, M. Kuc, Ł. Piskorski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Model diody elektroluminescencyjnej z ZnO, Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania 2011(nr 9), 76-78, 2011
  • M. Kuc, R. Sarzała, A. Brozi, Analiza skuteczności stosowania przekładek (heat-spreaderów) do poprawy odprowadzania strumienia ciepła z półprzewodnikowych emiterów światła, Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania 2011(nr 9), 72-75, 2011
  • S. Morawiec, R. Sarzała, W. Nakwaski, Próba zniwelowania wpływu naprężeń mechanicznych na działanie azotkowych diod elektroluminescencyjnych, Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania 2011(nr 9), 70-72, 2011
  • A. Sokół, R. Sarzała, Thermal problems in arsenide VECSELs, Scientific Bulletin TUL. Physics 32(No. 1105), 53-63, 2011
  • M. Kuc, R. Sarzała, Modelowanie cieplno-elektrycznych właściwości emiterów promieniowania i ich matryc opartych na materiałach azotkowych, Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania 2011(nr 9), 66-69, 2011
  • R. Sarzała, M. Wasiak, Thermal-electrical modelling of quantum cascade lasers, Prz. Elektrotechniczn. 87(10), 177-179, 2011
  • W. Nakwaski, P. Kowalczewski, R. Sarzała, Photonic crystal used to increase extraction efficiencyof ZnO light-emitting diodes, Photonics Letters of Poland 2(4), 186-188, 2010
  • M. Kuc, R. Sarzała, W. Nakwaski, Physics of mode selectivity of vertical-cavity surface-emitting diode lasers, J. Appl. Phys. 108(4), 044501, 2010
  • R. Sarzała, Ł. Piskorski, Comparative analysis of lasing performance of oxide-confined and proton-implanted vertical-cavity surface-emitting diode lasers, Applied Physics A: Materials Science and Processing 102(2), 359-366, 2010
  • W. Nakwaski, R. Sarzała, M. Kuc, Mody laserów złączowych z poprzecznym rezonatorem (typu VCSEL), Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania 2010(nr 1), 14-16, 2010
  • R. Sarzała, Wpływ montażu lasera kaskadowego na wzrost temperatury w jego wnętrzu, Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania 2010(nr 10), 102-106, 2010
  • M. Wasiak, R. Sarzała, W. Nakwaski, Właściwości cieplne wybranych konstrukcji laserów kaskadowych, Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania 2010(nr 1), 32-34, 2010
  • M. Kuc, R. Sarzała, Model termiczny lasera azotkowego, Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania 2010(nr 10), 83-86, 2010
  • P. Kowalczewski, W. Nakwaski, R. Sarzała, Photonic crystal used to increase extraction efficiency of ZnO light-emitting diodes, Photonics Letters of Poland 2(4), 186-188, 2010
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Enhanced single-fundamental LP01 mode operation of 650-nm GaAs-based GaInP/AlGaInP quantum-well VCSELs, Applied Physics A: Materials Science and Processing 98(3), 651-657, 2009
  • T. Czyszanowski, R. Sarzała, M. Dems, H. Thienpont, W. Nakwaski, K. Panajotov, Strong modes discrimination and low threshold in cw regime of 1300 nm AlInGaAs/InP VCSEL induced by photonic crystal, Physica Status Solidi (A) Applications and Materials 206(7), 1396-1403, 2009
  • T. Czyszanowski, R. Sarzała, M. Dems, W. Nakwaski, H. Thienpont, K. Panajotov, Optimal photonic-crystal parameters assuring single-mode operation of 1300 nm AlInGaAs vertical-cavity surface-emitting laser, J. Appl. Phys. 105(9), 093102, 2009
  • D. Xu, C. Tong, S. F. Yoon, W. Fan, D. H. Zhang, M. Wasiak, Ł. Piskorski, K. Gutowski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Room-temperature continuous-wave operation of the In(Ga)As/GaAs quantum-dot VCSELs for the 1.3 µm optical-fibre communication, Semicond. Sci. Technol. 24(5), 055003, 2009
  • Ł. Piskorski, M. Wasiak, R. Sarzała, W. Nakwaski, Structure optimisation of modern GaAs-based InGaAs/GaAs quantum-dot VCSELs for optical fibre communication, Opto-Electron. Rev. 17(3), 217-224, 2009
  • J. LeClech, M. Ziegler, J. Mukherjee, J. W. Tomm, T. Elsaesser, J.-P. Landesman, B. Corbett, J. G. Mclnerney, J. P. Reithmaier, S. Deubert, A. Forchel, W. Nakwaski, R. Sarzała, Microthermography of diode lasers: The impact of light propagation on image formation, J. Appl. Phys. 105(1), 014502, 2009
  • T. Czyszanowski, R. Sarzała, M. Dems, W. Nakwaski, H. Thienpont, K. Panajotov, Optimal Photonic-Crystal Parameters Assuring Single-Mode Operation of 1300nm AlInGaAs Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser, J. Appl. Phys. 105, 093102, 2009
  • T. Czyszanowski, R. Sarzała, M. Dems, H. Thienpont, W. Nakwaski, K. Panajotov, Strong Modes Discrimination and Low Threshold in Cw Regime of 1300nm AlInGaAs/InP VCSEL Induced by Photonic Crystal, Phys. Stat. Sol. (a) 206, 1396-1403, 2009
  • A. Pabjańczyk, R. Sarzała, M. Wasiak, M. Bugajski, Kwantowe lasery kaskadowe - podstawy fizyczne, Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania 2009(nr 5), 30-43, 2009
  • M. Kuc, R. Sarzała, Thermal model of nitride edge-emitting laser diodes, Opt. Appl. 39(4), 663-672, 2009
  • S. Morawiec, P. Kowalczewski, R. Sarzała, An impact of the electrical pumping scheme on some VCSEL performance characteristics, Opt. Appl. 39(4), 691-699, 2009
  • K. Tkacz, R. Sarzała, W. Nakwaski, Performance characteristics of variously detuned VCSELs, Opt. Appl. 39(4), 729-737, 2009
  • Ł. Piskorski, M. Wasiak, R. Sarzała, W. Nakwaski, Tuning effects in optimisation of GaAs-based InGaAs/GaAs quantum-dot VCSELs, Opt. Commun. 281(11), 3163-3170, 2008
  • M. Ziegler, J. W. Tomm, T. Elsaesser, G. Erbert, F. Bugge, W. Nakwaski, R. Sarzała, Visualization of heat flows in high-power diode lasers by lock-in thermography, Appl. Phys. Lett. 92(10), 103513, 2008
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Computer simulation of an operation of the GaInP/AlGaInP QW VCSELs: Excitation of various transverse LPij modes, Microelectr. J. 39(3-4), 638-640, 2008
  • T. Czyszanowski, R. Sarzała, M. Dems, H. Thienpont, K. Panajotov, Threshold characteristics of bottom-emitting long wavelength VCSELs with photonic-crystal within the top mirror, Opt. Quant. Electron. 40(2-4), 149-154, 2008
  • K. Gutowski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Threshold analysis of highly detuned long-wavelength GaAs-based GaInNAsSb/GaNAsQWVCSELs, Microelectr. J. 39(3-4), 641-643, 2008
  • P. Karbownik, R. Sarzała, Structure optimisation of short-wavelength ridge-waveguide InGaN/GaN diode lasers, Opto-Electron. Rev. 16(1), 27-33, 2008
  • K. Gutowski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Investigation of operational characteristics and possibility of obtaining highly detuned GaInNAsSb VCSEL, str. 445-448, Styczeń 2008
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Analysis of anticipated performance of 650-nm GaInP/AlGaInP quantum-well GaAs-based VCSELs at elevated temperatures, Opto-Electron. Rev. 16(1), 34-41, 2008
  • K. Gutowski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Threshold analysis of highly detuned long-wavelength GaAs-based GaInNAsSb/GaNAsQWVCSELs., Microelectr. J. No 39, 641-643, 2008
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Computer simulation of an operation of the GaInP/AlGaInP QW VCSELs: excitation of various transverse LPij modes, Microelectr. J. No.39(3-4), 638-640, 2008
  • K. Gutowski, R. Sarzała, Computer simulation of tuned and detuned GaInNAsSb QW VCSELs for long-wavelength applications:, Mater. Sci. 26(1), 45-53, 2008
  • M. Ziegler, J. W. Tomm, T. Elsaesser, G. Erbert, F. Bugge, W. Nakwaski, R. Sarzała, Visualization of heat flows in high-power diode lasers by lock-in thermography., Appl. Phys. Lett. 92, 103513, 2008
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Analysis of anticipated performance of 650-nm GaInP/AlGaInP quantum-well GaAs-based VCSELs at elevated temperatures., Opto-Electron. Rev. 16(1), 34-41, 2008
  • Ł. Piskorski, M. Wasiak, R. Sarzała, W. Nakwaski, Tuning effects in optimisation of GaAs-based InGaAs/GaAs quantum-dot VCSELs., Opt. Commun. 281(11), 3163–3170, 2008
  • P. Karbownik, R. Sarzała, Structure optimisation of short-wavelength ridge-waveguide InGaN/GaN diode lasers:, Opto-Electron. Rev. 16(1), 68-74, 2008
  • T. Czyszanowski, R. Sarzała, Ł. Piskorski, M. Dems, M. Wasiak, W. Nakwaski, K. Panajotov, Comparison of Usability of Oxide Apertures and Photonic Crystals Used to Create Radial Optical Confinements in 650-nm GaInP VCSELs, IEEE J. Quantum. Electron. 43(11), 1041-1047, 2007
  • T. Czyszanowski, M. Wasiak, R. Sarzała, W. Nakwaski, Exactness of simplified scalar optical approaches in modelling a threshold operation of possible nitride vertical-cavity surface-emitting diode lasers, Physica Status Solidi (A) Applications and Materials 204(10), 3562-3573, 2007
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Self-consistent model of 650 nm GaInP/AlGaInP quantum-well vertical-cavity surface-emitting diode lasers, Semicond. Sci. Technol. 22(6), 593-600, 2007
  • R. Sarzała, W. Nakwaski, GaInNAsSb/GaNAs quantum-well VCSELs: Modeling and physical analysis in the 1.50−1.55 μm wavelength range, J. Appl. Phys. 101(7), 073103, 2007
  • T. Czyszanowski, R. Sarzała, Ł. Piskorski, M. Dems, M. Wasiak, W. Nakwaski, K. Panajotov, Comparison of Usability of Oxide Apertures and Photonic Crystals Used To Create Radial Optical Confinements in 650-nm GaInP VCSELs, IEEE J. Quantum. Electron. 43, 1041-1047, 2007
  • Ł. Piskorski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Self-Consistent Model of the 650-nm GaInP/AlGaInP Quantum-Well Vertical-Cavity Surface-Emitting Diode Lasers, Semicond. Sci. Technol. 22 (6), 593-600, 2007
  • R. Sarzała, Optimization of Oxide-Confined Vertical-Cavity Surface-Emitting Diode Lasers, Semicond. Sci. Technol. 22, 113-118, 2007
  • R. Sarzała, W,, Nakwaski,, GaInNAsSb/GaNAs Quantum-Well VCSELs: Modeling and Physical Analysis in the 1.50-1.55 μm Wavelength Range, J. Appl. Phys. 101, 073103, 2007
  • T. Czyszanowski, M. Wasiak, R. Sarzała, W. Nakwaski, Exactness of simplified scalar optical approaches in modelling a threshold operation of possible nitride vertical-cavity surface-emitting diode lasers., Physica Status Solidi (A) Applications and Materials 204 No. 10, 3562-3573, 2007
  • R. Sarzała, W. Nakwaski, GaInNAsSb/GaNAs quantum-well VCSELs: modeling and physical analysis in the 1.50 – 1.55 μm wavelength range., J. Appl. Phys. 101, 073103, 2007
  • R. Sarzała, Optimization of oxide-confined vertical-cavity surface-emitting diode lasers, Semicond. Sci. Technol. 22(2), 113-118, 2006
  • M. Ziegler, F. Weik, J. W. Tomm, T. Elsaesser, W. Nakwaski, R. Sarzała, D. Lorenzen, J. Meusel, A. Kozłowska, Transient thermal properties of high-power diode laser bars, Appl. Phys. Lett. 89(26), 263506, 2006
  • R. Sarzała, W. Nakwaski, Separate-confinement-oxidation vertical-cavity surface-emitting laser structure, J. Appl. Phys. 99(12), 123110, 2006
  • R. Sarzała, W. Nakwaski, Structure Optimisation of a Possible 1.5-μm GaAs-based Vertical-cavity Surface-emitting Laser Diode with the GaInNAsSb/GaNAs Quantum-well Active Region, Opt. Quant. Electron. 38(4-6), 293-311, 2006
  • R. Sarzała, W. Nakwaski, Physical Analysis of a Possibility to Reach the 1.30-μm Emission from the GaAs-Based VCSELs with the InGaAs/GaAs Quantum-Well Active Regions and the Intentionally Detuned Optical Cavities, Opt. Quant. Electron. 38(4-6), 325-337, 2006
  • M. Ziegler, F. Weik, J. W. Tomm, T. Elsaesser, W. Nakwaski, R. Sarzała, D. Lorenzen, J. Meusel, A. Kozłowska, Transient thermal properties of high- power diode laser bars., Appl. Phys. Lett. 89, 263506, 2006
  • R. Sarzała, W. Nakwaski, Separate-confinement-oxidation vertical-cavity surface-emitting laser structure., J. Appl. Phys. 99 s.123110-1(9), 2006
  • R. Sarzała, Designing strategy to enhance mode selectivity of higher-output oxide-confined vertical-cavity surface-emitting lasers, Applied Physics A: Materials Science and Processing 81(2), 275-283, 2005
  • J. Galczak, R. Sarzała, W. Nakwaski, The modified k·p method to investigate polarization effects in nitride quantum-well devices, Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures 25(4), 504-514, 2005
  • R. Sarzała, An impact of a localization of an oxide aperture within a VCSEL cavity on its lasing threshold., Opt. Appl. 35(no. 3), 636-644, 2005
  • R. Sarzała, Physical analysis of an operation of GaInAs/GaAs quantum-well vertical-cavity surface-emitting diode lasers emitting in the 1.3mm wavelength range., Opt. Appl. 35(no. 2), 225-240, 2005
  • J. Galczak, R. Sarzała, W. Nakwaski, The modified kp approach to investigate polarization effects in nitride quantum-well devices., Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures 25, 504-514, 2005
  • R. Sarzała, W. Nakwaski, Optimisation of GaAs-based (GaIn)(NAs)//GaAs vertical-cavity surface-emitting diode lasers for high-temperature operation in 1.3-μm optical-fibre communication systems, IEE P. - Optoelectron. 151(5), 417-420, 2004
  • R. Sarzała, Modeling of the threshold operation of 1.3-/spl mu/m GaAs-based oxide-confined (InGa)As-GaAs quantum-dot vertical-cavity surface-emitting lasers, IEEE J. Quantum. Electron. 40(6), 629-639, 2004
  • A. Tomczyk, R. Sarzała, T. Czyszanowski, M. Wasiak, W. Nakwaski, Fully self-consistent threshold model of one-dimensional arrays of edge-emitting nitride diode lasers, Semicond. Sci. Technol. 19(8), 997-1004, 2004
  • R. Sarzała, P. Mendla, M. Wasiak, P. Maćkowiak, M. Bugajski, W. Nakwaski, Comprehensive self-consistent three-dimensional simulation of an operation of the GaAs-based oxide-confined 1.3-μm quantum-dot (InGa)As/GaAs vertical-cavity surface-emitting lasers, Opt. Quant. Electron. 36(4), 331-347, 2004
  • P. Maćkowiak, R. Sarzała, M. Wasiak, W. Nakwaski, Cascade nitride VCSEL designs with tunnel junctions, Applied Physics A: Materials Science and Processing 78(3), 315-322, 2004
  • A. Tomczyk, R. Sarzała, W. Nakwaski, Fully Self-Consistent Threshold Model of One-Dimensional Arrays of in-Line Nitride Diode Lasers, Semicond. Sci. Technol. 19, 997-1004, 2004
  • P. Maćkowiak, R. Sarzała, M. Wasiak, W. Nakwaski, Cascade Nitride VCSEL Designs with a Tunnel Junctions, Appl. Phys. A: Mat. Sci. \& Process. 78, 315-322, 2004
  • P. Maćkowiak, R. Sarzała, M. Wasiak, W. Nakwaski, Nitride VCSEL design for continuous-wave operation of higher-order optical modes, Applied Physics A: Materials Science and Processing 77(6), 761-768, 2003
  • M. Wasiak, M. Bugajski, R. Sarzała, P. Maćkowiak, T. Czyszanowski, W. Nakwaski, Output power saturation in InAs/GaAs quantum dot lasers, Physica Status Solidi C - Conferences, 1351-1354, 2003
  • P. Maćkowiak, R. Sarzała, M. Wasiak, W. Nakwaski, Design guidelines for fundamental-mode-operated cascade nitride VCSELs, IEEE Photon. Technol. Lett. 15(4), 495-497, 2003
  • R. Sarzała, [], Opt. Quant. Electron. 35(7), 675-692, 2003
  • R. Sarzała, P. Maćkowiak, M. Wasiak, T. Czyszanowski, W. Nakwaski, Structure optimisation of 1.3 μm (GaIn)(NAs)∕GaAs in-plane lasers, IEE P. - Optoelectron. 150(1), 56, 2003
  • R. Sarzała, P. Maćkowiak, M. Wasiak, T. Czyszanowski, W. Nakwaski, Simulation of performance characteristics of GaInNAs vertical-cavity surface-emitting lasers, IEE P. - Optoelectron. 150(1), 83, 2003
  • A. Tomczyk, R. Sarzała, T. Czyszanowski, M. Wasiak, W. Nakwaski, Fully Self-Consistent Three-Dimensional Model of Edge-Emitting Nitride Diode Lasers, Opto-Electron. Rev. 11, 65-75, 2003
  • W. Nakwaski, R. Sarzała, M. Wasiak, T. Czyszanowski, P. Maćkowiak, Single-Photon Devices in Quantum Cryptography, Opto-Electron. Rev. 11, 127-132, 2003
  • P. Maćkowiak, T. Czyszanowski, R. Sarzała, M. Wasiak, W. Nakwaski, Designing of Possible Structures of Nitride Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, Opto-Electron. Rev. 11, 119-126, 2003
  • R. Sarzała, P. Maćkowiak, M. Wasiak, T. Czyszanowski, W. Nakwaski, Simulation of Threshold Characteristics of GaInNAs Diode Lasers, Opto-Electron. Rev. 11, 139-142, 2003
  • P. Maćkowiak, R. Sarzała, M. Wasiak, W. Nakwaski, Radial Optical Confinement in Nitride VCSELs, J. Phys. D: Appl. Phys. 26, 2041-2045, 2003
  • P. Maćkowiak, R. Sarzała, M. Wasiak, W. Nakwaski, Design Guidelines for Fundamental-Mode-Operated Cascade Nitride VCSELs, IEEE Photon. Technol. Lett. 15, 495-497, 2003
  • R. Sarzała, P. Maćkowiak, M. Wasiak, T. Czyszanowski, W. Nakwaski, Structure Optimization of 1.3-μm (GaIn)(NAs)/GaAs in-Plane Lasers, IEEE Proc. Optoelectr. 150, 56-58, 2003
  • R. Sarzała, P. Maćkowiak, M. Wasiak, T. Czyszanowski, W. Nakwaski, Simulation of Performance Characteristics of GaInNAs Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, IEEE Proc. Optoelectr. 150, 83-85, 2003
  • M. Wasiak, M. Bugajski, R. Sarzała, P. Maćkowiak, T. Czyszanowski, W. Nakwaski, Output Power Saturation in InAs/GaAs Quantum Dot Lasers, Phys. Stat. Sol., 1351-1354, 2003
  • P. Maćkowiak, R. Sarzała, M. Wasiak, W. Nakwaski, Nitride VCSEL Design for Continuous-Wave Operation of Higher-Order Optical Modes, Appl. Phys. A: Mat. Sci. \& Process. 77, 761-768, 2003
  • W. Nakwaski, P. Maćkowiak, M. Wasiak, R. Sarzała, T. Czyszanowski, Higher‐Order Transverse Modes in Possible Nitride VCSELs, Physica Status Solidi C - Conferences, 48-51, 2002
  • R. Sarzała, P. Maćkowiak, W. Nakwaski, Temperature-Enhanced Radial Current Spreading in Possible VCSEL Structures of Nitride Lasers, Semicond. Sci. Technol. 17, 255-260, 2002
  • P. Maćkowiak, M. Wasiak, T. Czyszanowski, R. Sarzała, W. Nakwaski, Designing Guidelines for Nitride VCSELs Resonator, Opt. Appl. 32, 493-502, 2002
  • M. Wasiak, M. Bugajski, E. Machowska-Podsiadło, T. J. Ochalski, J. Kątcki, R. Sarzała, P. Maćkowiak, T. Czyszanowski, W. Nakwaski, J. . Chen, U. Oesterle, A. Fiore, M. Ilegems, Optical Gain Saturation Effects in InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dots, Opt. Appl. 32, 291-299, 2002
  • W. Nakwaski, P. Maćkowiak, M. Wasiak, R. Sarzała, T. Czyszanowski, Higher-Order Transverse Modes in Possible Nitride VCSELs, Phys. Stat. Sol., 48-51, 2002
  • T. Czyszanowski, M. Wasiak, P. Maćkowiak, R. Sarzała, W. Nakwaski, Method of Lines - the New Vectorial Approach To Optical Phenomena in Diode Lasers, Opt. Appl. 32, 477-484, 2002
  • R. Sarzała, Computer Simulation of Performance Characteristics of (GaIn)(NAs) Diode Lasers, Opt. Appl. 32, 449-460, 2002
  • P. Maćkowiak, R. Sarzała, W. Nakwaski, A novel diagonal-current injection VCSEL design proposed for nitride lasers, Semicond. Sci. Technol. 16(7), 598-602, 2001
  • P. Maćkowiak, R. Sarzała, W. Nakwaski, A Novel Diagonal-Current-Injection VCSEL Design Proposed for Nitride Lasers, Semicond. Sci. Technol. 16, 598-602, 2001
  • W. Nakwaski, R. Sarzała, Transverse modes in gain-guided vertical-cavity surface-emitting lasers, Opt. Commun. 148(1-3), 63-69, 1998
  • W. Nakwaski, R. Sarzała, Transverse Modes in Gain-Guided Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, Opt. Commun. 148, 63 - 69, 1998
  • J. Wilk, R. Sarzała, W. Nakwaski, The Spatial Hole Burning Effect in Gain-Guided Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, J. Phys. D: Appl. Phys. 31, L11-L15,, 1998
  • W. Nakwaski, A. Brozi, K. Łazarow, P. Maćkowiak, R. Sarzała, Computer Simulations of Operations of Various Designs of Semiconductor Lasers, Scientific Bulletin of Tech. Univ. of Łódź, Physics 18, 51-58, 1998
  • R. Sarzała, W. Nakwaski, Carrier diffusion inside active regions of gain-guided vertical-cavity surface-emitting lasers, IEE P. - Optoelectron. 144(6), 421-425, 1997
  • W. Nakwaski, R. Sarzała, Verification of Usability of Simple Discrimination Mechanisms for Higher-Order Transverse Modes in Gain-Guided Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, Electron Technology 30, 298-305, 1997
  • J. Wilk, R. Sarzała, W. Nakwaski, DBR Mirror Properties in Real Operating Conditions of Gain-Guided Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, Int. J. Optoelectr. 11, 333-337, 1997
  • R. Sarzała, W. Nakwaski, Carrier Diffusion Inside Active-Regions of Gain-Guided Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, IEEE Proc. Optoelectr. 144, 421-425, 1997
  • W. Nakwaski, R. Sarzała, Higher-Order Transverse Modes in Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, Proc. SPIE 3320 (Wave and Quantum Aspects of Contemporary Optics), 78-96, 1997
  • R. Sarzała, W. Nakwaski, M. Osiński, Carrier Diffusion in the Active Region of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers and Its Influence on Their Operation, Electron Technology 29, 83-87, 1996
  • R. Sarzała, W. Nakwaski, M. Osiński, Effects of Carrier Diffusion on Thermal Properties of Proton-Implanted Top-Surface-Emitting Lasers (invited Paper), Proc. SPIE 2399 (Physics and Simulation of Optoelectronic Devices III), 583-604, 1995
  • W. Nakwaski, R. Sarzała, M. Osiński, Computer Simulation of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, Scientific Bulletin of Tech. Univ. of Łódź, Physics 15, 145-158, 1995
  • R. Sarzała, Finite-Element Thermal Model for Monolithic Linear Arrays of GaAs-AlGaAs Strip-Buried-Heterostructure Diode Lasers, Electron Technology 28, 293-299, 1995
  • R. Sarzała, W. Nakwaski, Finite-element thermal model for buried-heterostructure diode lasers, Opt. Quant. Electron. 26(2), 87-95, 1994
  • R. Sarzała, W. Nakwaski, Thermal analysis of oxide-isolated stripe diode lasers, str. 1447-1462, Czerwiec 1992
  • R. Sarzała, W. Nakwaski, An appreciation of usability of the finite element method for the thermal analysis of stripe-geometry diode lasers, str. 1171-1189, Maj 1990